Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 7, страницы 1209–1216 (Mi phts4376)  

Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC

В. А. Ващенко, Ю. А. Водаков, В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. В. Осипов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин
Аннотация: Основные особенности ранее обнаруженного расслоения электронно-дырочной плазмы в $\alpha$-SiC при лавинном пробое $p{-}n$-переходов подтверждены численным решением дифференциальных уравнений согласно предложенной модели.
Эволюция нитей тока, проявляющаяся в виде уменьшения их числа и увеличения размера, вплоть до образования одношнурового состояния связана, как показано в работе, с возрастанием температуры решетки в результате джоулева разогрева. Однако качественные свойства токового шнура обусловлены электронным механизмом, а именно возрастающей зависимостью скорости ударной ионизации от концентрации неравновесных носителей тока.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Ващенко, Ю. А. Водаков, В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. В. Осипов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1209–1216
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VodKerLit91}
\by В.~А.~Ващенко, Ю.~А.~Водаков, В.~В.~Гафийчук, Б.~И.~Дацко, Б.~С.~Кернер, Д.~П.~Литвин, В.~В.~Осипов, А.~Д.~Роенков, В.~И.~Санкин
\paper Образование и~эволюция нитей лавинного тока в~обратносмещенных
$p{-}n$-переходах на~основе~$6H$-SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 7
\pages 1209--1216
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4376}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4376
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i7/p1209
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025