|
|
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 7, страницы 1209–1216
(Mi phts4376)
|
|
|
|
Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных
$p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC
В. А. Ващенко, Ю. А. Водаков, В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. В. Осипов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин
Аннотация:
Основные особенности ранее обнаруженного расслоения
электронно-дырочной плазмы в $\alpha$-SiC при лавинном пробое
$p{-}n$-переходов подтверждены численным решением дифференциальных
уравнений согласно предложенной модели. Эволюция нитей тока, проявляющаяся в виде уменьшения их числа и
увеличения размера, вплоть до образования одношнурового состояния
связана, как показано в работе, с возрастанием температуры решетки
в результате джоулева разогрева. Однако качественные свойства
токового шнура обусловлены электронным механизмом, а именно
возрастающей зависимостью скорости ударной ионизации от
концентрации неравновесных носителей тока.
Образец цитирования:
В. А. Ващенко, Ю. А. Водаков, В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. В. Осипов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных
$p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1209–1216
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4376 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i7/p1209
|
|