Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 9, страницы 1613–1617 (Mi phts4437)  
Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре

Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов
PDF полного текста (469 kB)
Аннотация: Впервые демонстрируются двумерные кремниевые транзисторные структуры, которые в зависимости от режима включения определяют характеристики как биполярного, так и полевого транзисторов. Данные транзисторные структуры исследуются на предмет туннелирования электронов и дырок при переносе вдоль двумерной базы (полевой режим) и при протекании тока эмиттер$-$база$-$коллектор (биполярный режим).
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1613–1617
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BagKlySuk91}
\by Н.~Т.~Баграев, Л.~Е.~Клячкин, В.~Л.~Суханов
\paper Туннельные эффекты в~двумерной кремниевой транзисторной структуре
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 9
\pages 1613--1617
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4437}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4437
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i9/p1613
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:84
    PDF полного текста:47
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026