Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным излучением

Установлено, что термический отжиг модифицированных лазерным излучением кристаллов GaAs, в котором присутствуют поликристаллы GaAs и поверхностные включения металлического Ga, приводит к упорядочению его структуры. Исчезает поликристаллическое состояние GaAs, а поверхностные атомы Ga диффундируют вглубь кристалла, занимая места вакансий мышьяка. При этом в спектрах ФЛ исчезает $D$-полоса и появляется $E$-полоса с энергией максимума 1.32 эВ (77 K). Показано, что природа $E$-полосы связана с антиструктурными дефектами типа GaAs.