In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста

Разработана эллипсометрическая методика, позволяющая наблюдать за изменениями состава и температуры слоeв кадмий–ртуть–теллур в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Методика опробована для диагностики состава и температуры при выращивании слоeв в режиме постоянной мощности нагревателя подложки и при еe резком изменении. Установлено, что падение мощности и последующее уменьшение температуры роста сопровождается также монотонным уменьшением состава. В случае постоянной мощности нагревателя наблюдается незначительное увеличение температуры образца при практически неизменном составе растущего слоя.