Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)

Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований процессов ударной ионизации и разогрева носителей заряда в многодолинных полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и обсуждена их связь с особенностями зонной структуры с учетом роли побочных $L$- и $X$-долин, сложной структуры валентной зоны, а также ориентационной зависимости коэффициентов ионизации. Предложен новый подход к выбору полупроводниковых материалов с большим отношением коэффициентов ионизации дырок и электронов для создания бесшумных лавинных фотодиодов за счет монополярного умножения горячих носителей заряда.