Эффекты ионной бомбардировки в спектрах краевой фотопроводимости и в вольт-амперных характеристиках кристаллов CdS

Исследовано влияние ионной бомбардировки, производимой на воздухе, на электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS при температуре кипения жидкого азота ($T$ = 77 K). Показано, что бомбардировка кристаллов приводит к существенному росту фоточувствительности в области края поглощения, а также к росту их темновой проводимости. При этом количественные изменения в темновой проводимости значительно превосходят изменения в фоточувствительности всех исследованных образцов. Наблюдаемые изменения тонкой (экситонной) структуры свидетельствуют о поверхностном характере воздействия ионов на полупроводник. Обнаруженные изменения связываются с поверхностным легированием исследуемых полупроводников донорами с помощью ионной бомбардировки. Применяемая методика бомбардировки может быть использована в практических целях с целью модификации электрических свойств полупроводников, принадлежащих к соединениям А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$.