Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке

Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярных AlN(10$\bar1$1) и AlN(10$\bar1$2) слоев при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов $<$ 100 нм (подложка-NP-Si(100)). Показано, что на начальной стадии эпитаксии на подложке-NP-Si(100) происходит формирование зародышевых кристаллов AlN, а затем в зависимости от кристаллографической ориентации V-стенок формируются кристаллы, ограненные плоскостями AlN(10$\bar1$1) на Si(111) или AlN(10$\bar1$2) на Si(111), разориентированном в направлении [110] на 7$^\circ$.