Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 922–926
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51445.49 (Mi phts4964) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

В. В. Уточкинa, А. А. Дубиновa, М. А. Фадеевa, В. В. Румянцевa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, В. И. Гавриленкоa, С. В. Морозовac

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (146 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51445.49
Аннотация: Исследованы волноводные гетероструктуры c массивом из 10 квантовых ям HgCdTe/CdHgTe, выращенные в рамках одной технологической серии и рассчитанные на генерацию стимулированного излучения в диапазоне длин волн 20–30 мкм. В “коротковолновой” структуре получено стимулированное излучение на длине волны $\sim$ 23.9 мкм при температуре 10 K, в то время как в “длинноволновой” стимулированное излучение не наблюдалось. Проведены расчеты оптического поглощения в пассивных слоях для обеих структур, продемонстрировано, что в “длинноволновой” структуре его уровень выше, и предлагаются подходы по минимизации его влияния на генерацию стимулированного излучения.
Ключевые слова: средний ИК диапазон, HgCdTe, квантовые ямы, стимулированное излучение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-52-50004
Российский научный фонд 17-12-01360
Расчет внутренних потерь в пассивных слоях исследованных структур проведен при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 20-52-50004), а характеризация образцов и исследование СИ проведено при поддержке Российского научного фонда (грант № 17-12-01360).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 899–902
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100262
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Уточкин, А. А. Дубинов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 922–926; Semiconductors, 55:12 (2021), 899–902
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UtoDubFad21}
\by В.~В.~Уточкин, А.~А.~Дубинов, М.~А.~Фадеев, В.~В.~Румянцев, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, В.~И.~Гавриленко, С.~В.~Морозов
\paper Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 922--926
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4964}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51445.49}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486070}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 899--902
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100262}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4964
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p922
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025