Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 733–737
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51286.13 (Mi phts4974) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN

А. А. Ивановab, В. В. Чалдышевa, Е. Е. Заваринa, А. В. Сахаровa, В. В. Лундинa, А. Ф. Цацульниковc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (142 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51286.13
Аннотация: Исследованы оптические свойства структуры с периодической системой из 100 квантовых ям InGaN, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами GaN при комнатной температуре. Периодичность структуры соответствовала брэгговскому условию дифракции на частоте экситонов в квантовых ямах. Численное моделирование с использованием матриц переноса дало адекватное количественное соответствие экспериментальным результатам. Модель включала резонансный отклик A, B и C экситонов в квантовых ямах и учет оптического поглощения в барьерах и буферном слое. Определены параметры излучательного и безызлучательного затухания экситонов в квантовых ямах InGaN.
Ключевые слова: резонансная брэгговская структура, квантовые ямы, экситоны, экситонный резонанс, брэгговский резонанс, нитрид галлия.
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Иванов, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 733–737
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChaZavSak21}
\by А.~А.~Иванов, В.~В.~Чалдышев, Е.~Е.~Заварин, А.~В.~Сахаров, В.~В.~Лундин, А.~Ф.~Цацульников
\paper Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 733--737
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4974}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51286.13}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491076}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4974
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p733
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025