Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 738–742
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51287.14 (Mi phts4975) 		 
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs : Mn

А. Е. Евдокимовa, М. С. Кузнецоваa, А. В. Михайловa, К. В. Кавокинa, Р. И. Джиоевb

a Санкт-Петербургский государственный университет, Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (757 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51287.14
Аннотация: Экспериментально изучено поведение времени релаксации спина электрона в объeмных слоях GaAs, легированного Mn. Исследовалось изменение степени циркулярной поляризации фотолюминесценции в поперечном и продольном магнитных полях. Обнаружено увеличение времени релаксации электронного спина от 25 нс при слабой накачке до 400 нс при пороговой мощности накачки. Также продемонстрирован эффект резонансного охлаждения ядерной спиновой системы оптически ориентированными электронными спинами.
Ключевые слова: структуры GaAs : Mn, поперечное и продольное магнитные поля, спиновая релаксация электронов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-52-12043
19-52-12059
Санкт-Петербургский государственный университет ID 73031758
Работа выполнена при финансовой поддержке DFG в рамках Международного центра совместных исследований TRR 160 (проект № A6) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 19-52-12043). MCK благодарит Санкт-Петербургский государственный университет за финансовую поддержку в рамках гранта № ID 73031758. АВМ благодарит Российский фонд фундаментальных исследований (грант № 19-52-12059).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 9, Pages 726–730
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090049
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Евдокимов, М. С. Кузнецова, А. В. Михайлов, К. В. Кавокин, Р. И. Джиоев, “Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs : Mn”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 738–742; Semiconductors, 55:9 (2021), 726–730
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EvdKuzMik21}
\by А.~Е.~Евдокимов, М.~С.~Кузнецова, А.~В.~Михайлов, К.~В.~Кавокин, Р.~И.~Джиоев
\paper Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs : Mn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 738--742
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4975}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51287.14}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491077}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 726--730
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090049}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4975
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p738
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025