Поперечный транспорт в многослойных гетероструктурах в условиях разогрева носителей

Исследуются вольтамперные характеристики многослойных гетероструктур с монополярной проводимостью $n$-типа в системе GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As при поперечном по отношению к плоскостям гетерограниц направлении тока. Отдельно рассмотрены периодическая гетероструктура и двойная гетероструктура с широкозонным средним слоем и омическими контактами. Показано, что в обоих случаях вольтамперная характеристика в условиях разогрева носителей содержит $S$-образный участок отрицательного дифференциального сопротивления, величина которого определяется разрывом зон проводимости и геометрическими параметрами структур.