Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 5, страницы 391–396
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50825.9582 (Mi phts5032) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках

М. С. Жолудевab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (346 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50825.9582
Аннотация: Проведены расчеты волновых функций электрона в зоне проводимости бесщелевого полупроводника вблизи кулоновского акцептора. Использовалась модель Латтинжера в приближении сферической симметрии. Получена зависимость энергии резонансных состояний акцептора от отношения масс электронов и дырок.
Ключевые слова: бесщелевой полупроводник, примесь, резонансные состояния, матрица рассеяния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-00128
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-1430.2020.2
Разработка программного обеспечения для расчета волновых функций электрона в многозонных моделях выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 19-72-00128). Расчеты волновых функций в модели Латтинжера и определение энергий резонансных состояний выполнены при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (проект МК-1430.2020.2).
Поступила в редакцию: 22.12.2020
Исправленный вариант: 30.12.2020
Принята в печать: 30.12.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 6, Pages 537–541
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621050195
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 391–396; Semiconductors, 55:6 (2021), 537–541
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhoRumMor21}
\by М.~С.~Жолудев, В.~В.~Румянцев, С.~В.~Морозов
\paper Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 391--396
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5032}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50825.9582}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474548}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 537--541
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621050195}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5032
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i5/p391
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025