Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 5, страницы 397–401
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50826.9610
(Mi phts5033)
 

Электронные свойства полупроводников

Термоэлектрические свойства твердых растворов с катионным и анионным замещением на основе слоистого тетрадимитоподобного соединения GeSnSb$_{4}$Te$_{8}$

Г. Р. Гурбановa, Т. А. Джафаровb, М. Б. Адыгезаловаa

a Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, Az-1010 Баку, Азербайджан
b Азербайджанский государственный педагогический университет, Az -1000 Баку, Азербайджан
Аннотация: Термоэлектрические свойства четвертного соединения GeSnSb$_{4}$Te$_{8}$ и твердых растворов GeSnSb$_{4-x}$Bi$_{x}$Te$_{8-y}$Se$_{y}$ исследованы в широком интервале температур 300–600 K. Замещение атомов Sb атомами Bi и атомов Te атомами Se в твердых растворах приводит к росту коэффициента термоэдс и уменьшению решеточной составляющей теплопроводности по сравнению с соответствующими характеристиками GeSnSb$_{4}$Te$_{8}$. Более низкие значения решеточной теплопроводности в сплавах с $x$ = 0.6, $y$ = 0.4 по сравнению c GeSnSb$_{4}$Te$_{8}$ связаны с искажениями из-за различия атомных масс и размеров атомов Sb и Bi, а также Te и Se. Показано, что с увеличением количества атомов, участвующих в замещениях в обеих подрешетках при образовании твердого раствора, максимум температурной зависимости термоэдс и минимум температурной зависимости теплопроводности сдвигаются в область более высоких температур, что обусловлено увеличением ширины запрещенной зоны. При увеличении содержания Bi и Se в твердых растворах уменьшается решеточная теплопроводность и соответственно увеличивается термоэлектрическая эффективность. Термоэлектрическая эффективность образца GeSnSb$_{4-x}$Bi$_{x}$Te$_{8-y}$Se$_{y}$ ($x$ = 0.6, $y$=0.4) имеет максимальное значение $Z$ = 3.34$\cdot$10$^{-3}$ K$^{-1}$ при 300 K.
Ключевые слова: GeSnSb$_{4}$Te$_{8}$, твердые растворы GeSnSb$_{4-x}$Bi$_{x}$Te$_{8-y}$Se$_{y}$, коэффициент термоэдс, теплопроводность, электропроводность, термоэлектрическая эффективность.
Поступила в редакцию: 18.01.2021
Исправленный вариант: 21.01.2021
Принята в печать: 21.01.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 5, Pages 499–503
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621050079
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Р. Гурбанов, Т. А. Джафаров, М. Б. Адыгезалова, “Термоэлектрические свойства твердых растворов с катионным и анионным замещением на основе слоистого тетрадимитоподобного соединения GeSnSb$_{4}$Te$_{8}$”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 397–401; Semiconductors, 55:5 (2021), 499–503
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GurJafAdy21}
\by Г.~Р.~Гурбанов, Т.~А.~Джафаров, М.~Б.~Адыгезалова
\paper Термоэлектрические свойства твердых растворов с катионным и анионным замещением на основе слоистого тетрадимитоподобного соединения GeSnSb$_{4}$Te$_{8}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 397--401
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5033}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.05.50826.9610}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474549}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 5
\pages 499--503
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621050079}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5033
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i5/p397
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025