Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe

Проведена оптимизация параметров диэлектрического волновода для лазерных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgCdTe, рассчитанных на диапазон длин волн 25–41 мкм, с точки зрения минимизации внутренних потерь. Показано, что для излучения в диапазоне длин волн 25–33.5 мкм оптимальный вариант волновода реализуется при росте лазерной HgCdTe-структуры на подложке CdTe или на подложке GaAs с толстым (15 мкм и более) буферным слоем CdTe. Для более длинноволнового излучения (диапазон длин волн 33.5–41 мкм) оптимальным решением является стравливание подложки и буферного слоя CdTe с последующей металлизацией поверхности структуры.