Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 326–330
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50733.9548 (Mi phts5052) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния

С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (127 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50733.9548
Аннотация: В рамках модели Халдейна–Андерсона получены оценки перехода заряда и энергии адсорбции атомов щелочноземельных металлов и атомов подгруппы кислорода на С- и Si-гранях 3$C$- и 4$H$-политипов SiC. Выявлены вклады зонных и локальных состояний в переход заряда между адатомами и подложками, металлической и ионной составляющих энергии адсорбции.
Ключевые слова: адатом, подложка, переход заряда, энергия адсорбции.
Поступила в редакцию: 30.10.2020
Исправленный вариант: 14.11.2020
Принята в печать: 14.12.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 4, Pages 399–404
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621040047
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 326–330; Semiconductors, 55:4 (2021), 399–404
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DavPos21}
\by С.~Ю.~Давыдов, О.~В.~Посредник
\paper Адсорбция атомов II и VI групп на политипах карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 326--330
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5052}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50733.9548}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474710}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 399--404
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621040047}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5052
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p326
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025