Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 2, страницы 159–163
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50503.9502 (Mi phts5081) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs

А. С. Газизулинаa, А. А. Насировa, А. А. Небесныйa, П. Б. Парчинскийa, D. Kimb

a Национальный университет Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
b Chungnam National University, 305-764, Taejon, Korea
PDF полного текста (495 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50503.9502
Аннотация: Исследована температурная зависимость анизотропии магнитотранспортных свойств эпитаксиальных слоев GaMnAs, находящихся в состоянии ферромагнитного упорядочения. Показано, что в исследуемых слоях наблюдается анизотропия отрицательного магнетосопротивления, не связанная с наличием одноосной анизотропии и ориентацией оси жесткого намагничивания. Данная анизотропия может быть связана с наличием в слое GaMnAs пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста.
Ключевые слова: анизотропия, отрицательное магнетосопротивление, эпитаксиальные слои, ферромагнитное упорядочение.
Поступила в редакцию: 10.08.2020
Исправленный вариант: 22.10.2020
Принята в печать: 22.10.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 2, Pages 214–218
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621020123
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Газизулина, А. А. Насиров, А. А. Небесный, П. Б. Парчинский, D. Kim, “Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 159–163; Semiconductors, 55:2 (2021), 214–218
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GazNasNeb21}
\by А.~С.~Газизулина, А.~А.~Насиров, А.~А.~Небесный, П.~Б.~Парчинский, D.~Kim
\paper Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 159--163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5081}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50503.9502}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44859601}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 214--218
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621020123}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5081
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i2/p159
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025