Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страницы 1233–1237
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50094.9476 (Mi phts5125) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Синтез наночастиц карбида кремния методом лазерного пиролиза смеси моносилана и ацетилена

И. А. Ершов, Л. Д. Исхакова, В. И. Красовский, Ф. О. Милович, С. И. Расмагин, В. И. Пустовой

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (465 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50094.9476
Аннотация: Определены условия лазерно-стимулированной реакции синтеза наночастиц карбида кремния и проведена их характеризация. Реакция лазерного синтеза частиц SiC в газовой фазе наблюдалась при соотношении потоков SiH$_{4}$/C$_{2}$H$_{2}$ в интервале 1.6–3.2. Температура в области зоны реакции составила $\sim$1400–1500$^\circ$C. Получены наночастицы карбида кремния диаметром $\sim$6 нм и исследован их состав.
Ключевые слова: наночастицы карбида кремния, спиновое состояние, лазерный пиролиз, синтез наночастиц.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций I.7P
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00786
Работа выполнена при поддержке программой президиума РАН I.7P и грантом РФФИ 18-02-00786.
Поступила в редакцию: 29.06.2020
Исправленный вариант: 14.07.2020
Принята в печать: 14.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1467–1471
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Ершов, Л. Д. Исхакова, В. И. Красовский, Ф. О. Милович, С. И. Расмагин, В. И. Пустовой, “Синтез наночастиц карбида кремния методом лазерного пиролиза смеси моносилана и ацетилена”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1233–1237; Semiconductors, 54:11 (2020), 1467–1471
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ErsIskKra20}
\by И.~А.~Ершов, Л.~Д.~Исхакова, В.~И.~Красовский, Ф.~О.~Милович, С.~И.~Расмагин, В.~И.~Пустовой
\paper Синтез наночастиц карбида кремния методом лазерного пиролиза смеси моносилана и ацетилена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1233--1237
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5125}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.11.50094.9476}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154075}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1467--1471
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5125
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1233
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025