Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1145–1149
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49959.41 (Mi phts5152) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии

К. А. Ковалевскийa, Ю. Ю. Чопороваbc, Р. Х. Жукавинa, Н. В. Абросимовd, С. Г. Павловe, H.-W. Hübersef, В. В. Цыпленковa, В. Д. Кукотенкоbc, Б. А. Князевbc, В. Н. Шастинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
d Leibniz Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, German
e Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR), 12489 Berlin, Germany
f Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, 12489 Berlin, Germany
PDF полного текста (936 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49959.41
Аннотация: Исследованы времена релаксации нижних $p$-состояний донора мышьяка в деформированном вдоль кристаллографического направления [111] кристалле германия. Измерения выполнялись методом накачка–зондирование с использованием излучения лазера на свободных электронах. Накачка состояний осуществлялась из основного состояния $1s(A_1)$. Измеренное время распада состояния $2p_{0}$ составляет 1.3 нс, $3p_{0}$ – не более 0.2 нс, $2p_\pm$ – 0.4 нс. Показано, что относительно высокий темп релаксации состояния 2p$_\pm$ обусловлен взаимодействием с внутридолинными TA фононами.
Ключевые слова: германий, мышьяк, одноосная деформация, накачка-зондирование, внутрицентровое оптическое возбуждение, фононы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20163
Работа проведена при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-72-20163).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1347–1351
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100188
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, Р. Х. Жукавин, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers, В. В. Цыпленков, В. Д. Кукотенко, Б. А. Князев, В. Н. Шастин, “Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1145–1149; Semiconductors, 54:10 (2020), 1347–1351
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KovChoZhu20}
\by К.~А.~Ковалевский, Ю.~Ю.~Чопорова, Р.~Х.~Жукавин, Н.~В.~Абросимов, С.~Г.~Павлов, H.-W.~H\"ubers, В.~В.~Цыпленков, В.~Д.~Кукотенко, Б.~А.~Князев, В.~Н.~Шастин
\paper Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1145--1149
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5152}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49959.41}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041230}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1347--1351
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100188}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5152
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1145
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025