Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 958–961
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49839.33 (Mi phts5178) 		 
XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках

Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, А. И. Охапкин, В. М. Данильцев, Е. В. Скороходов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (1476 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49839.33
Аннотация: Исследованы особенности формы поверхности эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на канавках шириной в несколько микрометров с вертикальными стенками и аспектным соотношением, близким к единице. Канавки формировались на поверхности пластины GaAs в установке плазмохимического травления, заращивались методом металлоорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении в реакторе.
Ключевые слова: плазмохимическое травление GaAs, узкие канавки, эпитаксия GaAs в канавках.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2019-0024-C-01
Работа выполнена в рамках государственного задания № 0035-2019-0024-C-01 для ИФМ РАН. Использовано оборудование центра коллективного пользования “Физика и технология микро- и наноструктур”.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1147–1149
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, А. И. Охапкин, В. М. Данильцев, Е. В. Скороходов, “Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 958–961; Semiconductors, 54:9 (2020), 1147–1149
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroKraOkh20}
\by Ю.~Н.~Дроздов, С.~А.~Краев, А.~И.~Охапкин, В.~М.~Данильцев, Е.~В.~Скороходов
\paper Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 958--961
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5178}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49839.33}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154206}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1147--1149
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5178
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p958
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025