Влияние имплантации ионов Al$^{+}$ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)

Методом имплантации ионов Al$^{+}$ c $E_{0}$= 1 кэВ разными дозами на поверхности монокристалла GaP(111) получены нанокристаллические фазы и пленки GaAlP, изучены их электронная и кристаллическая структура. Показано, что тип и параметры решетки трехкомпонентной наноструктуры хорошо совпадают с таковыми для подложки. Изучена взаимосвязь между шириной запрещенной зоны $E_{g}$ и размерами нанокристаллических фаз. Установлено, что в случае поверхностных размеров фаз $d$ меньше чем 35–40 нм (толщина 3.5–4 нм), в нанокристаллических фазах Ga$_{0.6}$Al$_{0.4}$P проявляются квантово-размерные эффекты.