Импедансные характеристики $\gamma$-облученных твердых растворов (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$

Методами импедансной спектроскопии исследованы процессы переноса заряда в твердых растворах (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$ в диапазоне частот 20–10$^{6}$ Гц до и после $\gamma$-облучения. Установлен релаксационный характер дисперсии диэлектрической проницаемости, а также природа диэлектрических потерь. Частотная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь $(\operatorname{tg}\delta)$ в кристаллах твердых растворов (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$ обусловлена не только релаксационной поляризацией, но и сквозной проводимостью. Рассчитаны значения времени релаксации $\tau$ = 10$^{-3}$с. Установлено, что в частотном интервале 10$^{5}$–5 $\cdot$ 10$^{5}$ Гц для электропроводности выполняется закономерность $\sigma\sim f^{S}$ (0.1 $\le$ S $\le$ 1.0), указывающая на проводимость по локализованным состояниям. Дальнейший рост частоты приводит к росту ионной проводимости переходу системы в суперионное состояние.