Энергетический спектр локальных центров в монокристаллах Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se

Исследованы монокристаллы полупроводниковых твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se, выращенные модифицированным методом «свободного роста» во всем концентрационном интервале.
Спектр локальных центров в запрещенной зоне кристаллов каждого данного состава определялся методом термостимулированной проводимости, фотопроводимости и фотолюминесценции в интервале 77$-$300 K.
Для всех составов наблюдаются два уровня прилипания основных носителей тока, глубина залегания которых относительно дна $c$-зоны увеличивается с ростом $x$.
Обнаружены две серии полос люминесценции. Положения максимумов полос первой серии, включающей три полосы, изменяются с составом кристаллов так же, как и ширина запрещенной зоны. Положения максимумов двух полос, отнесенных ко второй серии, от состава не зависят (за исключением области перехода от кубической структуры кристаллов к гексагональной, в которой значения изменяются скачком на ${\sim0.16}$ эВ). Полосы первой серии обусловлены излучательным захватом электронов на центры акцепторного и комплексного (донорно-акцепторного) типа. Полосы второй серии обусловлены внутрицентровыми переходами.