Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au

Исследовано влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику в поверхностно-барьерных диодах типа Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au. Показано, что чувствительность обратного тока структуры к одноосному сжатию значительно превосходит соответствующую чувствительность прямого тока при одинаковых значениях приложенного напряжения. Увеличение прямого тока данных структур при деформации обусловлено внутренним усилением, связанным с перераспределением приложенного напряжения между базой и барьером.