Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 341–345
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49137.9315 (Mi phts5240) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Комбинационное рассеяние света в эвтектическом композите InSb–MnSb

И. Х. Мамедовa, Д. Г. Араслыb, Р. Н. Рагимовb, А. А. Халиловаb

a Национальная академия авиации Азербайджана, Баку, Бина, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
PDF полного текста (1462 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49137.9315
Аннотация: Изучены спектры комбинационного рассеяния света объeмных образцов эвтектического композита InSb-MnSb и их тонких плeнок, полученных методом мгновенного испарения. В спектрах комбинационного рассеяния света объeмных образцов наблюдены TO- и LO-моды InSb на частотах 179.5 и 192.4 см$^{-1}$, а также пики на частотах 122, 127, 167, 211, 245.5 см$^{-1}$, близкие к теоретическим данным о фононных частотах для MnSb, имеющимся в литературе. В спектре комбинационного рассеяния света плeнок TO-мода смещена в сторону меньших энергий – 178 см$^{-1}$, а LO-мода более высоких – 196 см$^{-1}$. Высокочастотное смещение LO-моды в композите по сравнению с еe значением в InSb, возможно, обусловлено наличием деформации на границе матрица-включение, а также вкладом рассеяния на поверхностных фононах.
Ключевые слова: эвтектический композит, тонкие пленки, комбинационнoе рассеяниe света.
Поступила в редакцию: 19.11.2019
Исправленный вариант: 04.12.2019
Принята в печать: 04.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 412–416
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620040089
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Х. Мамедов, Д. Г. Араслы, Р. Н. Рагимов, А. А. Халилова, “Комбинационное рассеяние света в эвтектическом композите InSb–MnSb”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 341–345; Semiconductors, 54:4 (2020), 412–416
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MamAraRag20}
\by И.~Х.~Мамедов, Д.~Г.~Араслы, Р.~Н.~Рагимов, А.~А.~Халилова
\paper Комбинационное рассеяние света в эвтектическом композите InSb--MnSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 341--345
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5240}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49137.9315}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776693}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 412--416
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620040089}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5240
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p341
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025