Исследование свойств двумерных пленок МоS$_{2}$ и WS$_{2}$, синтезированных химическим газофазным методом

В данной работе были синтезированы пленки дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама методом химического газового осаждения (CVD). Найден набор оптимальных параметров синтеза (температура, время, количество и соотношение прекурсоров), которые позволяют выращивать домены МоS$_{2}$ c максимальными латеральными размерами до 250 мкм на сапфире, и домены МоS$_{2}$ и WS$_{2}$ до 80 мкм на SiO$_{2}$. В результате сращивания доменов были получены однородные однослойные пленки МоS$_{2}$. Спектры комбинационного рассеяния света синтезированных пленок имеют два характерных пика, соответствующих колебаниям атомов в MoS$_{2}$ и WS$_{2}$. Обнаружена фотолюминесценция однослойных и двухслойных пленок МоS$_{2}$ с максимумом интенсивности фотолюминесценции на 670 $\pm$ 2 нм и однослойных пленок WS$_{2}$ с максимумом на 630 $\pm$ 2 нм. Измерены спектральные карты фотолюминесценции, зависимость интенсивности фотолюминесценци от длины волны люминесценции и от длины волны возбуждающего света. Согласно измерениям спектр возбуждения фотолюминесценци МоS$_{2}$ имеет максимум на 350 $\pm$ 5 нм, а возбуждения фотолюминесценци WS$_{2}$ – максимум на 330 $\pm$ 5 нм. Вольт-амперные характеристики синтезированных пленок являются фоточувствительными в видимой области спектра.