Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 388–393
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49146.9322 (Mi phts5248) 		 
Углеродные системы

Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле

Ю. Б. Васильевa, С. Н. Новиковb, С. Н. Даниловc, С. Д. Ганичевcd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Aalto University, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland
c Terahertz Center TerZ, University of Regensburg, Regensburg, Germany
d CENTERA Laboratories, Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, 01-142 Warsaw, Poland
PDF полного текста (683 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49146.9322
Аннотация: Изучается терагерцовая фотопроводимость в магнитном поле в эпитаксиальном графене, выращенном на подложке SiC. Проведены исследования зависимости амплитуды сигнала фотоотклика от величины магнитного поля при разных значениях концентрации электронов, тока смещения, интенсивности терагерцового излучения. Механизм фотопроводимости, основанный на нагреве электронов терагерцовым излучением, хорошо объясняет экспериментальные результаты. С увеличением величины магнитного поля обнаружен сильный рост сигнала фотопроводимости из-за увеличения времени релаксации вследствие подавления электрон-электронного рассеяния.
Ключевые слова: графен, фотопроводимость, терагерцовое излучение, магнитное поле.
Финансовая поддержка Номер гранта
Foundation for Polish Science MAB/2018/9
Deutsche Forschungsgemeinschaft DeMeGRaS
GA501/16-1
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00498
Работа выполнена при финансовой поддержке Foundation for Polish Science (IRA Program-CENTERA, grant MAB/2018/9, CENTERA), FLAG-ERA program (projec DeMeGRaS, project GA501/16-1 of the DFG) и гранта Российского фонда фундаментальных исследований (18-02-00498).
Поступила в редакцию: 28.11.2019
Исправленный вариант: 05.12.2019
Принята в печать: 05.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 4, Pages 465–470
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262004020X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Б. Васильев, С. Н. Новиков, С. Н. Данилов, С. Д. Ганичев, “Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 388–393; Semiconductors, 54:4 (2020), 465–470
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasNovDan20}
\by Ю.~Б.~Васильев, С.~Н.~Новиков, С.~Н.~Данилов, С.~Д.~Ганичев
\paper Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 388--393
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5248}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.04.49146.9322}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776702}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 4
\pages 465--470
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262004020X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5248
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i4/p388
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025