Температурная зависимость подвижности дырок в полупроводниковом синтетическом алмазе

Проведено исследование методом тока Холла подвижности дырок в монокристаллах полупроводникового синтетического алмаза кубического габитуса в диапазоне температур от 90 до 700 K. Кристаллы синтезированы в системах роста с геттерами азота. Установлено, что секториальное строение кристаллов алмаза более существенно уменьшает подвижность, чем зональное. Показано, что в низкотемпературной области (за пределами электропроводности прыжкового характера) зависимость подвижности дырок от температуры определяется рассеянием носителей на ионизированных примесях, следуя при этом закону ${\mu\sim T^{3/2}}$.