Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда

Рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем $(\mathbf{E})$ в чистом Ge в квантовом магнитном поле $(\mathbf{H})$ при ($\mathbf{E}\perp\mathbf{H}$) при низких температурах, $T$ = 4.2, 1.8 K, в условиях термовозбуждения. Показано, что в этих условиях на среднее время жизни носителей влияет зависимость от $E$ и $H$ коэффициента термической ионизации. Полученные результаты качественно согласуются с теорией каскадного захвата носителей на изолированные центры в скрещенных электрическом и магнитном полях.