Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 224–227
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49022.9295 (Mi phts5256) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN

Е. Н. Моховa, М. К. Рабчинскийa, С. С. Нагалюкa, М. Р. Гафуровb, О. П. Казароваa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Казанский (Приволжский) федеральный университет
PDF полного текста (207 kB) Список цитирования (9)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49022.9295
Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературной ($T$ = 1880$^\circ$C) диффузии ионов бериллия на свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что постростовое легирование AlN бериллием приводит к компенсации мелких донорных центров кремния, входящих в решетку AlN неконтролируемым образом в ходе роста. Установлено, что введение Be в решетку AlN приводит к снижению оптического поглощения последнего в видимом и ультрафиолетовом диапазонах. Совокупность результатов объясняется сдвигом положения уровня Ферми, вызванным введением акцепторной примеси бериллия, в сторону потолка валентной зоны AlN.
Ключевые слова: AlN, примесь Ве, диффузия, оптические свойства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00649
Исследование выполнено при частичной финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 19-02-00649.
Поступила в редакцию: 23.10.2019
Исправленный вариант: 29.10.2019
Принята в печать: 29.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 278–281
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030148
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Н. Мохов, М. К. Рабчинский, С. С. Нагалюк, М. Р. Гафуров, О. П. Казарова, “Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 224–227; Semiconductors, 54:3 (2020), 278–281
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MokRabNag20}
\by Е.~Н.~Мохов, М.~К.~Рабчинский, С.~С.~Нагалюк, М.~Р.~Гафуров, О.~П.~Казарова
\paper Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 224--227
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5256}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49022.9295}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776673}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 278--281
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030148}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5256
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p224
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025