Внутризонное поглощение антимонида галлия $p$-типа

Проведено исследование спектров поглощения антимонида галлия $p$-типа, обусловленного свободными дырками, в широком диапазоне концентраций (${2.9\cdot10^{17}\div3\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$) и температур (${1.7\div300}$ K). Показано, что вблизи края фундаментального поглощения наблюдается поглощение, связанное с оптическими переходами между различными ветвями валентной зоны. Измерен коэффициент внутризонного поглощения, который в сильно легированных полупроводниках достигает значений ${3\cdot10^{3}\,\text{см}^{-1}}$, что сравнимо с собственным поглощением. Измерено значение спин-орбитального расщепления валентной зоны, ${\Delta_{0}=0.76\pm0.1}$.