Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 259–265
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49030.9313 (Mi phts5262) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Кластеризация марганца в ZnS : Mn, Mg, полученного методом высокотемпературного самораспространяющегося синтеза

Ю. Ю. Бачериковa, И. П. Воронаa, О. Б. Охрименкоa, В. П. Кладькоa, А. Г. Жукa, С. М. Окуловa, Ю. О. Полищукa, А. В. Гильчукb, Ю. М. Романенкоb, В. В. Кидаловc

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского», Киев
c Бердянский государственный педагогический университет
PDF полного текста (487 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49030.9313
Аннотация: Порошок ZnS : Mn, Mg был получен методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза с одновременным введением примесей Mn и Mg. Обнаружено, что одновременное введение примесей Mn и Mg приводит к неравномерному распределению марганца, который формирует области с меньшей и большей концентрацией Mn. В последнем случае ионы марганца образуют парамагнитные кластеры. В то же время из-за механического напряжения и деформации решетки в синтезированном ZnS : Mn, Mg образовалось большое количество центров самоактивированной люминесценции. Дополнительный отжиг приводит к более равномерному распределению Mn в полученном люминофоре ZnS : Mn, Mg, что сопровождается повышением интенсивности полосы фотолюминесценции марганца и гашением полосы самоактивированной люминесценции.
Ключевые слова: самораспространяющийся высокотемпературный синтез, ZnS : Mn, Mg, фотолюминесценция, сканирующая электронная микроскопия, электронный парамагнитный резонанс, отжиг.
Поступила в редакцию: 12.11.2019
Исправленный вариант: 19.11.2019
Принята в печать: 19.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 330–336
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030033
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Ю. Бачериков, И. П. Ворона, О. Б. Охрименко, В. П. Кладько, А. Г. Жук, С. М. Окулов, Ю. О. Полищук, А. В. Гильчук, Ю. М. Романенко, В. В. Кидалов, “Кластеризация марганца в ZnS : Mn, Mg, полученного методом высокотемпературного самораспространяющегося синтеза”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 259–265; Semiconductors, 54:3 (2020), 330–336
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BacVorOkh20}
\by Ю.~Ю.~Бачериков, И.~П.~Ворона, О.~Б.~Охрименко, В.~П.~Кладько, А.~Г.~Жук, С.~М.~Окулов, Ю.~О.~Полищук, А.~В.~Гильчук, Ю.~М.~Романенко, В.~В.~Кидалов
\paper Кластеризация марганца в ZnS : Mn, Mg, полученного методом высокотемпературного самораспространяющегося синтеза
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 259--265
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5262}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49030.9313}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776679}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 330--336
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030033}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5262
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p259
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025