Влияние поперечного магнитного поля на доменную неустойчивость в полупроводниках

Исследовано влияние поперечного магнитного поля на доменную неустойчивость для «коротких» образцов, когда холловское поле отсутствует. В рамках феноменологической температурной модели вычислены критические электрические поля $E^{*}$ для эффекта Ганна в $n$-GaAs во внешнем магнитном поле, которые значительно меньше получающихся в традиционном подходе. Показано, что при достаточно высоких магнитных полях доменная неустойчивость возможна и при растущей зависимости продольной скорости дрейфа электронов от электрического поля.
Вычислены значения $E^{*}$ для доменной неустойчивости, связанной с перегревным механизмом возникновения отрицательной дифференциальной проводимости. Правильный критерий доменной неустойчивости в магнитном поле приводит к уменьшению $E^{*}$ в 1.5 раза.