Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 124–128
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48891.9272 (Mi phts5274) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния

Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (257 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48891.9272
Аннотация: Предложен метод профилирования компонент эффективной подвижности носителей заряда $\mu_{\operatorname{eff}}$, определяемых рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границ раздела тонкая пленка/диэлектрик. Метод основан на управляемой локализации носителей заряда относительно тестируемой гетерограницы за счет взаимосвязи потенциалов на противоположных сторонах пленки (coupling-эффекта). Предложенный метод позволяет независимо выделять компоненты подвижности вблизи разных гетерограниц пленок. Использование его при исследовании подвижности электронов в пленках кремний-на-изоляторе позволило получить информацию о шероховатости границы раздела и структурном совершенстве ультратонкого (1–3 нм) слоя кремния вблизи скрытой границы раздела пленка/диэлектрик.
Ключевые слова: тонкие пленки, кремний-на-изоляторе, подвижность, гетерограница.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0306-2019-0011
Работа выполнена при поддержке проекта Министерства науки и высшего образования (ГЗ № 0306-2019-0011).
Поступила в редакцию: 26.09.2019
Исправленный вариант: 15.10.2019
Принята в печать: 15.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 176–180
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020219
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин, “Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 124–128; Semiconductors, 54:2 (2020), 176–180
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZayNauFom20}
\by Э.~Г.~Зайцева, О.~В.~Наумова, Б.~И.~Фомин
\paper Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 124--128
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5274}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48891.9272}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571085}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 176--180
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020219}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5274
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p124
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025