Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 1, страницы 90–94 (Mi phts528)  

Обратимый переход чувствительное–нечувствительное состояния в пленках твердых растворов Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S

А. В. Волков, В. Н. Вигдорович, Д. П. Колесников
Аннотация: Экспериментально показано, что УФ облучение в вакууме приводит к деградации фоточувствительности поликристаллических пленок Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S (на примере состава ${x\approx 0.06}$). Выявлены три стадии деградации: 1)  темновой ток $I_{\text{т}}$ и фототок $I_{\text{ф}}$ уменьшаются при ${I_{\text{ф}}/I_{\text{т}}\approx\mathrm{const}}$; 2)  ток $I_{\text{ф}}$ уменьшается при ${I_{\text{т}}\approx\mathrm{const}}$ и ${I_{\text{ф}}\sim I_{\text{ф}}/I_{\text{т}}}$; 3)  $I_{\text{т}}$ увеличивается при ${I_{\text{ф}}=\mathrm{const}}$ и ${I_{\text{ф}}/I_{\text{т}}\sim I^{-1}_{\text{т}}}$. Наблюдалось быстрое восстановление фоточувствительности при воздействии влажного и озонированного воздуха. По температурным зависимостям установлено изменение активационных барьеров для темнового электросопротивления ($\varphi_{R}$) и постоянной времени фотоответа ($\varphi_{\tau}$). Определены условия сохранения суммы ${\xi=\varphi_{R}+\varphi_{\tau}}$ при изменении темнового тока и фототока. Обнаружено ступенчатое изменение $\xi$ при переходе из чувствительного состояния в нечувствительное и обратно. Объяснение обнаруженным зависимостям дано в рамках модели, учитывающей инверсионный изгиб зон на поверхности.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Волков, В. Н. Вигдорович, Д. П. Колесников, “Обратимый переход чувствительное–нечувствительное состояния в пленках твердых растворов Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 90–94
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by А.~В.~Волков, В.~Н.~Вигдорович, Д.~П.~Колесников
\paper Обратимый переход чувствительное--нечувствительное состояния
в~пленках твердых растворов Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 1
\pages 90--94
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts528}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts528
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i1/p90
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:73
    PDF полного текста:43
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026