|
|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 1, страницы 90–94
(Mi phts528)
|
|
|
|
Обратимый переход чувствительное–нечувствительное состояния
в пленках твердых растворов Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S
А. В. Волков, В. Н. Вигдорович, Д. П. Колесников
Аннотация:
Экспериментально показано, что УФ облучение
в вакууме приводит к деградации фоточувствительности поликристаллических
пленок Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S (на примере состава ${x\approx 0.06}$).
Выявлены три стадии деградации: 1) темновой ток
$I_{\text{т}}$ и фототок $I_{\text{ф}}$ уменьшаются при
${I_{\text{ф}}/I_{\text{т}}\approx\mathrm{const}}$;
2) ток $I_{\text{ф}}$ уменьшается при ${I_{\text{т}}\approx\mathrm{const}}$
и ${I_{\text{ф}}\sim I_{\text{ф}}/I_{\text{т}}}$; 3) $I_{\text{т}}$
увеличивается при ${I_{\text{ф}}=\mathrm{const}}$
и ${I_{\text{ф}}/I_{\text{т}}\sim I^{-1}_{\text{т}}}$. Наблюдалось
быстрое восстановление фоточувствительности при воздействии влажного
и озонированного воздуха. По температурным зависимостям установлено изменение
активационных барьеров для темнового электросопротивления ($\varphi_{R}$)
и постоянной времени фотоответа ($\varphi_{\tau}$). Определены условия
сохранения суммы ${\xi=\varphi_{R}+\varphi_{\tau}}$ при изменении темнового
тока и фототока. Обнаружено ступенчатое изменение $\xi$ при переходе из
чувствительного состояния в нечувствительное и обратно. Объяснение
обнаруженным зависимостям дано в рамках модели,
учитывающей инверсионный изгиб зон на поверхности.
Образец цитирования:
А. В. Волков, В. Н. Вигдорович, Д. П. Колесников, “Обратимый переход чувствительное–нечувствительное состояния
в пленках твердых растворов Cd$_{x}$Pb$_{1-x}$S”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 90–94
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts528 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i1/p90
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 73 | | PDF полного текста: | 43 |
|