Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 160–164
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48911.9270 (Mi phts5280) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)

А. А. Спиринаa, Н. Л. Шварцab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
PDF полного текста (1182 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48911.9270
Аннотация: С помощью кинетической решеточной модели Монте-Карло проанализирован самокаталитический рост планарных GaAs нанопроволок. Рост нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл рассматривался для подложек GaAs с ориентациями (111)А и (111)В. Исследовалось влияние температуры и расположения капель галлия на морфологию и направление роста планарных GaAs нанопроволок. Выявлен диапазон температур, в котором наблюдался стабильный рост планарных GaAs-нанопроволок на поверхности GaAs(111)А. Выбранное асимметричное расположение капель позволяет получать однонаправленный рост нанопроволок.
Ключевые слова: GaAs, планарные нанопроволоки, моделирование, Монте-Карло.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-31-90023
Работа поддержана РФФИ (проект № 19-31-90023)
Поступила в редакцию: 26.09.2019
Исправленный вариант: 30.09.2019
Принята в печать: 30.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 212–216
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020190
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, “Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 160–164; Semiconductors, 54:2 (2020), 212–216
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SpiShw20}
\by А.~А.~Спирина, Н.~Л.~Шварц
\paper Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 160--164
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5280}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48911.9270}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571092}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 212--216
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020190}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5280
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p160
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025