Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 1, страницы 95–100 (Mi phts529)  
Термоавтоэмиссионная электропроводность полупроводникового бикристалла с учетом полевой зависимости заполнения пограничных состояний

Е. И. Гольдман
PDF полного текста (843 kB)
Аннотация: Построена теория статических вольтамперных и переходных характеристик бикристалла полупроводника $n$-типа, учитывающая термоавто- и автоэмиссионные переходы носителей между пограничными состояниями и зоной проводимости. Предсказано уменьшение заполнения пограничных состояний с напряжением и понижением температуры. Обсуждены температурные зависимости тока при различных смещениях.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. И. Гольдман, “Термоавтоэмиссионная электропроводность полупроводникового бикристалла с учетом полевой зависимости заполнения пограничных состояний”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 95–100
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Е.~И.~Гольдман
\paper Термоавтоэмиссионная электропроводность полупроводникового
бикристалла с~учетом полевой зависимости заполнения пограничных состояний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 1
\pages 95--100
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts529}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts529
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i1/p95
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026