Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 22–24
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48763.9192 (Mi phts5294) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi$_{12}$SiO$_{20}$

В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (107 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48763.9192
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния освещения на характер частотной зависимости электрических параметров монокристаллов силиката висмута Bi$_{12}$SiO$_{20}$ (BSO). Излучение видимой области спектра приводит к изменению значений диэлектрических параметров (к фотодиэлектрическому эффекту) и проявлению фотопроводимости в низкочастотном диапазоне измерения. Установлен прыжковый характер проводимости в темновом режиме и при световом возбуждении. Обсуждаются возможные механизмы фотоэлектрического эффекта и переноса заряда в исследуемых кристаллах.
Ключевые слова: силикат висмута, силленит, фотодиэлектрический эффект, фотопроводимость, диэлектрическая проницаемость.
Поступила в редакцию: 18.06.2019
Исправленный вариант: 08.07.2019
Принята в печать: 08.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 19–21
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, “Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi$_{12}$SiO$_{20}$”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 22–24; Semiconductors, 54:1 (2020), 19–21
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvaPis20}
\by В.~Т.~Аванесян, И.~В.~Писковатскова
\paper Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi$_{12}$SiO$_{20}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 22--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5294}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48763.9192}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571058}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 19--21
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010030}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5294
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p22
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025