Продольный перенос электронов в селективно легированных гетероструктурах в сильных электрических полях

Исследован разогрев электронов в селективно легированных гетероструктурах (ГСЛ) AlGaAs/GaAs при протекании тока в стационарных условиях. На основе самосогласованного решения уравнений баланса и Пуассона рассчитана ВАХ. Совпадение измеренной в ГСЛ ВАХ с рассчитанной для тех же параметров хорошее. Показано, что носители даже при сильном разогреве перераспределяются между слоями слабо. Возникновение участка отрицательной дифференциальной проводимости обусловлено переходом электронов в минимумы зоны проводимости с большой эффективной массой. Вид ВАХ определяется параметрами этих долин, низкополевой подвижностью в потенциальной яме и распределением носителей в ГСЛ. Рассчитаны зависимости положения характерных точек ВАХ от параметров ГСЛ. Показано, что, изменяя параметры ГСЛ, можно менять пороговое поле, при котором начинается участок отрицательной дифференциальной проводимости, в широких пределах.