Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs

В диапазоне частот 1 Гц–50 кГц исследован низкочастотный шум в мощных 4$H$-SiC MOSFETs, подвергнутых облучению протонами с энергией 15 МэВ в диапазоне доз $\Phi$ 10$^{12}$–6 $\cdot$ 10$^{13}$ cм$^{-2}$. Частотная зависимость спектральной плотности шума с хорошей точностью следует зависимости $S_{I}\propto 1/f$. Прослежена корреляция между величиной тока насыщения выходной характеристики $I_{d}(V_{d}$) и уровнем низкочастотного шума. В диапазоне доз 10$^{12}\le\Phi\le$ 6 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$ значение тока насыщения изменяется в пределах $\sim$20%, в то время как уровень шума меняется на 2 порядка. Из данных шумовой спектроскопии оценена плотность ловушек в подзатворном окисле $N_{tv}$. В необлученных структурах $N_{tv}\approx$ 5.4 $\cdot$ 10$^{18}$ cм$^{-3}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$. При $\Phi$ = 6 $\cdot$ 10$^{13}$ cм$^{-2}$ величина $N_{tv}$ возрастает до значения $N_{tv}\approx$ 7.2 $\cdot$ 10$^{19}$ cм$^{-3}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$.