Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$

Экспериментально изучена проводимость лент монослойного и двухслойного графена шириной 0.5–4 мкм, изготовленных методом плазменного травления в кислороде. Обнаружена зависимость концентрации электронов в графене от ширины ленты. Этот эффект объясняется краевым легированием графена за счет дефектов, расположенных в SiO$_{2}$ вблизи краев ленты. Предложен способ формирования резких $p$–$n$-переходов в графене и структур с постоянным градиентом концентрации электронов в плоскости графена с помощью краевого легирования.