Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1718–1720
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48633.9238 (Mi phts5341) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs

Н. В. Дикареваa, Б. Н. Звонковa, И. В. Самарцевa, С. М. Некоркинa, Н. В. Байдусьa, А. А. Дубиновab

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (109 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48633.9238
Аннотация: Представлены результаты исследования GaAs-лазера с волноводными квантовыми ямами InGaAs, работающего при комнатной температуре в режиме электрической накачки. Минимальный порог генерации составил 15 А. Получена устойчивая лазерная генерация на длине волны 1010 нм, при этом ширина диаграммы направленности излучения в плоскости, перпендикулярной слоям структуры, составила (10 $\pm$ 2)$^\circ$.
Ключевые слова: GaAs, лазерный диод, волновод, квантовая яма, диаграмма направленности.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации СП-1302.2019.3
Фонд развития теоретической физики и математики БАЗИС
Работа выполнена при поддержке стипендии Президента Российской Федерации для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики СП-1302.2019.3, Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках проектной части госзадания, а также гранта Фонда развития теоретической физики и математики “БАЗИС”.
Поступила в редакцию: 08.08.2019
Исправленный вариант: 12.08.2019
Принята в печать: 12.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1709–1711
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, “Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1718–1720; Semiconductors, 53:12 (2019), 1709–1711
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DikZvoSam19}
\by Н.~В.~Дикарева, Б.~Н.~Звонков, И.~В.~Самарцев, С.~М.~Некоркин, Н.~В.~Байдусь, А.~А.~Дубинов
\paper Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1718--1720
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5341}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48633.9238}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848205}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1709--1711
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5341
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1718
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025