Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах

В арсенид-галлиевых тиристорных структурах впервые измерена основная зависимость, характеризующая процесс распространения включенного состояния, — зависимость скорости распространения $v$ от плотности тока $j$.
В структурах с плотностью критического заряда ${n_{c}\sim10^{13}\,\text{см}^{-3}}$ зарегистрировано значение ${v\cong10^{6}}$ см/с, на порядок большее, чем когда-либо наблюдавшееся в кремниевых тиристорах. Значению ${n_{c}\sim10^{13}\,\text{см}^{-3}}$ соответствовала величина плотности тока ${j_{0}\sim5\cdot10^{-2}\,\text{А/см}^{2}}$ ($j_{0}$ — плотность тока, при которой включенное состояние не распространяется, занимая лишь часть площади тиристора).
В структурах со значением ${n_{c}\sim10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ (${j_{0}\sim10\,\text{А/см}^{2}}$), характерным для мощных силовых тиристоров, зарегистрировано значение ${v\simeq 5\cdot10^{5}}$ см/с, в 25 раз большее, чем в кремниевых тиристорах с близкими значениями $n_{c}$.
Обнаружены и проанализированы существенные расхождения между экспериментальными и теоретически рассчитанными зависимостями $v(j)$.