Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией

Методом реактивного ионно-плазменного осаждения были получены тонкие наноразмерные пленки нитрида алюминия на подложках GaAs(100) с различной степенью разориентации относительно направления $\langle$100$\rangle$. Показано, что рост на подложках с различной степенью разориентации от направления $\langle$100$\rangle$ приводит к росту пленки AlN с различным фазовым составом и кристаллическим состоянием. Увеличение степени разориентации у используемой для роста подложки GaAs(100) отражается как на структурном качестве наноразмерных пленок AlN, так и на их электронном строении, морфологии их поверхности и оптических свойствах. Таким образом, управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs(100) может быть достигнуто за счет использования подложек GaAs(100) с разной величиной разориентации.