Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1343–1348
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48287.33 (Mi phts5376) 		 
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Динамика когерентности экситон-поляритонной системы в GaAs-микрорезонаторах при импульсном резонансном фотовозбуждении

В. Д. Кулаковскийab, А. А. Деменевa

a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва
PDF полного текста (285 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48287.33
Аннотация: Найдено, что экситон-поляритонные системы в полупроводниковых микрорезонаторах на GaAs, возбуждаемые резонансно когерентными пикосекундными лазерными импульсами, наследуют высокую когерентность лазерного луча и сохраняют ее в течение времени жизни ( $>$ 100 пс), при этом время формирования когерентности в системах, возбуждаемых резонансно некогерентными импульсами без возбуждения экситонного резервуара, превышает 200 пс.
Ключевые слова: экситонные поляритоны, бозе-конденсат, пространственная когерентность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 5
Работа выполнена в рамках госзадания Института физики твердого тела РАН с финансовой поддержкой Программы Президиума РАН № 5 “Фотонные технологии в зондировании неоднородных сред и биообъектов”.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1308–1313
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Д. Кулаковский, А. А. Деменев, “Динамика когерентности экситон-поляритонной системы в GaAs-микрорезонаторах при импульсном резонансном фотовозбуждении”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1343–1348; Semiconductors, 53:10 (2019), 1308–1313
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KulDem19}
\by В.~Д.~Кулаковский, А.~А.~Деменев
\paper Динамика когерентности экситон-поляритонной системы в GaAs-микрорезонаторах при импульсном резонансном фотовозбуждении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1343--1348
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5376}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48287.33}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174855}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1308--1313
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100129}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5376
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1343
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025