Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки

Исследовано влияние облучения высоковольтных (рабочее напряжение 1700 В) интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки электронами высокой энергии (0.9 МэВ) на характеристики ударных токов в микросекундном диапазоне длительности импульсов прямого тока. С ростом дозы $\Phi$ порог инжекции дырок монотонно повышается, а уровень модуляции базы неосновными носителями (дырками) монотонно понижается. При $\Phi$ = 1.5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$ инжекция дырок не наблюдается вплоть до значений прямого напряжения $\sim$30 В и плотности прямого тока $j\approx$ 9000 А/см$^{2}$.