Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$

Представлены результаты исследований синтеза слоев $n^{+}$-GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$. В частности, разработан метод предэпитаксиальной очистки GaN поверхностей виртуальных подложек от инородных атомов. Показано, что для формирования слоев GaN относительно высокого качества, в том числе легированных кремнием вплоть до $\sim$4.6 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$, сначала следует проводить предэпитаксиальную очистку виртуальных подложек в потоке активированных частиц азота при увеличении температуры подложки от $T_{S}$ = 400 до 600$^\circ$C, с последующей экспозицией поверхности подложки в потоке активированного азота при фиксированном значении $T_{S}$ = 600$^\circ$C в течение 1 ч. После этого температуру подложки необходимо увеличить до $T_{S}$ = 700$^\circ$C и осуществить окончательную очистку GaN-поверхности с использованием процедуры осаждения/десорбции галлия.