Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1229–1232
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48129.12 (Mi phts5407) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза

А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (258 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48129.12
Аннотация: Проведено плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок (DLC-пленок) на монокристаллический сильно легированный бором (концентрация $\sim$10$^{20}$ см$^{-3}$) алмаз $p$-типа проводимости в плазме CH$_{4}$ + Ar. Скорость осаждения составила 7 нм/мин. Детально исследованы элементный состав и свойства полученных пленок. Пленки оказались обогащенными водородом, имели плотность 2.4 г/см$^{3}$ и ультрагладкую поверхность (шероховатость 0.4 $\pm$ 0.2 нм).
Ключевые слова: алмазоподобный углерод, плазмохимическое осаждение, монокристаллический алмаз.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-3450.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00565
Осаждение и исследование слоев DLC выполнено при поддержке гранта Президента для молодых кандидатов наук МК-3450.2019.2. В части развития методики ВИМС работа поддерживалась проектом РФФИ № 18-02-00565.
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1203–1206
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090136
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, С. А. Краев, Е. А. Архипова, Е. В. Скороходов, П. А. Бушуйкин, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1229–1232; Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OkhYunDro19}
\by А.~И.~Охапкин, П.~А.~Юнин, М.~Н.~Дроздов, С.~А.~Королев, С.~А.~Краев, Е.~А.~Архипова, Е.~В.~Скороходов, П.~А.~Бушуйкин, В.~И.~Шашкин
\paper Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1229--1232
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5407}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48129.12}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129868}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1203--1206
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090136}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5407
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1229
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025