|
|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 1, страницы 178–181
(Mi phts549)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Квантово-размерные эффекты в жидкофазных
InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40
до 300 Å
И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин
Образец цитирования:
И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные эффекты в жидкофазных
InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40
до 300 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 178–181
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts549 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i1/p178
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 104 | | PDF полного текста: | 49 |
|