Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 1, страницы 178–181 (Mi phts549)  

Краткие сообщения

Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å

И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 178–181
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ArsAntGar87}
\by И.~Н.~Арсентьев, Н.~Ю.~Антонишкис, Д.~З.~Гарбузов, В.~В.~Красовский, А.~Б.~Комиссаров, В.~Б.~Халфин
\paper Квантово-размерные эффекты в~жидкофазных
InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с~толщиной активной области от~40
до~300\,\AA
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 1
\pages 178--181
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts549}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts549
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i1/p178
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:104
    PDF полного текста:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026