Влияние температуры спекания на термоэлектрические свойства соединения Bi$_{1.9}$Gd$_{0.1}$Te$_{3}$

Изучены закономерности влияния температуры спекания (750, 780, 810 и 840 K) на элементный состав, параметры кристаллической решетки, удельное электрическое сопротивление, коэффициент Зеебека, полную теплопроводнoсть и термоэлектрическую добротность соединения Bi$_{1.9}$Gd$_{0.1}$Te$_{3}$. Установлено, что в процессе высокотемпературного спекания элементный состав образцов изменяется вследствие интенсивного испарения теллура, что может приводить к формированию различных точечных дефектов (вакансий и антструктурных дефектов), влияющих на концентрацию и подвижность основных носителей заряда (электронов). Температура спекания сильно влияет на удельное электрическое сопротивление образцов, тогда как влияние на коэффициент Зеебека и полную теплопроводность выражено гораздо слабее. Наибольшее значение термоэлектрической добротности ($ZT\approx$ 0.55) наблюдалось для образца, спеченного при температуре 750 K.