Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 231–234
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47104.8962 (Mi phts5592) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал

С. К. Брантовa, Е. Б. Якимовb

a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
PDF полного текста (220 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47104.8962
Аннотация: Разработан способ непрерывного выращивания слоя самосвязанных кристаллитов карбида кремния на поверхности гибкой углеродной фольги с последующей пропиткой получаемых структур расплавом кремния. На основе полученного композиционного материала изготовлены терморезисторы для температурного диапазона 900–1450 K с термочувствительностью, достигающей значения 11350 K, способные использоваться в воздушной среде. Исследованы структурные и электрофизические характеристики упомянутого материала.
Поступила в редакцию: 18.07.2018
Исправленный вариант: 27.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 220–223
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020052
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. К. Брантов, Е. Б. Якимов, “Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 231–234; Semiconductors, 53:2 (2019), 220–223
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BraYak19}
\by С.~К.~Брантов, Е.~Б.~Якимов
\paper Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 231--234
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5592}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47104.8962}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476889}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 220--223
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020052}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5592
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p231
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025